| 型号： | EPC1012 | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | EPC | 描述： | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| EPC1012 PDF |  |
| 应用说明 | Second Generation eGaN® FETs Thermal Performance of eGaN® FETs Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
| 产品培训模块 | eGaN™ Basics eGaN™ Power Transistors Characteristics Drivng eGaN™ Power Transistors eGaN FETs for DC-DC Conversion eGaN FET Reliability |
| 产品变化通告 | EPC1xxx Series Obsolescence 09/Sept/2011 |
| RoHS指令信息 | Lead Free/RoHS Statement |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | eGaN® |
| FET 型 | GaNFET N 通道，氮化镓 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.9nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 110pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-LGA |
| 供应商设备封装 | 4-LGA（1.7x0.9） |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1599 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 917-1006-6 |